LEEM-10A Eksperimental nga Aparato sa PN Junction Mga Kinaiya Gipili nga Imahe

Mga Kinaiya sa Eksperimental nga Aparato sa LEEM-10A sa PN Junction

Mubo nga Deskripsyon:

Pasiuna

Ang pisikal nga mga kabtangan sa semiconductor PN junction usa sa mga importanteng sukaranang sulod sa pisika ug elektroniko. Kini nga aparato naggamit sa pamaagi sa pisikal nga eksperimento aron masukod ang relasyon tali sa diffusion current sa PN junction ug boltahe, nagpamatuod nga kini nga relasyon nagsunod sa exponential distribution law, ug nagsukod sa Boltzmann constant (usa sa mga importanteng constant sa pisika) nga mas tukma, nga nagtugot sa mga estudyante nga makakat-on og bag-ong pamaagi sa pagsukod sa huyang nga kuryente. Kini nga aparato naghatag og heater alternating temperature thermostat aron masukod ang relasyon tali sa PN junction voltage ug thermodynamic temperature T, aron makuha ang sensitivity sa sensor, ug mabanabana aron makuha ang energy gap sa silicon material sa 0K. Kini nga aparato lig-on ug kasaligan, ug adunay daghang pisikal nga eksperimento, klaro nga konsepto, makatarunganon nga disenyo sa istruktura ug taas nga katukma nga mga resulta sa pagsukod. Kini nga aparato gigamit labi na sa kinatibuk-ang pisikal nga mga eksperimento ug mga eksperimento sa panukiduki sa disenyo sa mga kolehiyo ug unibersidad.

Padad-i kami og email

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Mga Eksperimento

1. Ang relasyon tali sa PN junction diffusion current ug sa junction voltage gisukod, ug kini nga relasyon kinahanglan nga mapamatud-an nga nagsunod sa exponential distribution law pinaagi sa data processing;

2. Ang Boltzmann constant mas tukma nga masukod (Ang sayop kinahanglan nga ubos sa 2%);

3. Pagkat-on sa paggamit sa operational amplifier aron maporma ang current-voltage converter aron masukod ang huyang nga kuryente gikan sa 10^-6A hangtod 10^-8A;

4. Gisukod ang relasyon tali sa boltahe sa PN junction ug temperatura ug gikalkulo ang pagkasensitibo sa boltahe sa junction sa temperatura;

5. Gibana-bana nga makalkulo ang energy gap sa semiconductor (silicon) nga materyal sa 0K.

Mga Teknikal nga Indeks

1. Suplay sa kuryente sa DC

Usa ka mapasibo nga 0-1.5V DC nga suplay sa kuryente;

Usa ka mapasibo nga 1mA-3mA DC nga suplay sa kuryente.

2. Modyul sa pagsukod sa LCD

Ratio sa resolusyon sa LCD: 128×64 ka pixel

Duha ka digital nga indikasyon sa boltahe Range: 0-4095mV, Resolution ratio: 1mV

Sakup: 0-40.95V, Ratio sa Resolusyon: 0.01V

3. Eksperimental nga aparato

Kini gilangkoban sa operational amplifier LF356, connector socket, multi-turn potentiometer, ug uban pa. Ang TIP31 ug type 9013 triode konektado sa gawas.

4. Pampainit

Heater nga mapasibo sa uga nga atabay nga hinimo sa tumbaga;

Sakop sa pagkontrol sa temperatura sa thermostat: Temperatura sa kwarto hangtod sa 80.0℃;

Ang ratio sa resolusyon sa pagkontrol sa temperatura 0.1℃.

5. Kagamitan sa pagsukod sa temperatura

DS18B20 digital nga sensor sa temperatura

Miagi: LEEM-9 Magnetoresistive Sensor ug Pagsukod sa Magnetic Field sa Yuta

Sunod: Mga Kinaiya sa Eksperimental nga Aparato sa LEEM-10 sa PN Junction

Isulat ang imong mensahe dinhi ug ipadala kini kanamo